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场效应管

2023-12-15

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超结MOSFET

500V-1050V超结MOSFET

RDS(ON)0.02Q-7Q

深沟槽&多次外延超结MOSFET技术


中低压MOSFET

12V-250V VBR(DSS)N&P

覆盖Smallsignal和PowerMOS全功率段应用

RDS(ON)低至1mQ,电流300A以上

Trench &SGT先进技术平台号

车规中低压MOSFET系列


平面MOSFET

500V-1500V VBR(DSS)

电流规格1~40A

高可靠的高压平面工艺

正温度系数,并联自均流


SiC MOSFET

650V~1200V VBR(DSS)

低导通阻抗,模块小型化

高速开关

提高功率密度

降低散热器要求



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